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	掺杂铌和钴元素的PZT薄膜的残余应力测定 Measurement of Residual Stress in PZT Thin Film with Nb and Co Dopants
	陈泓霖[1,2]; 李伟[1,2]; 武鹏飞[1,2]; 丁长路[1,2]; 杨凯[1,2]
	2016
卷号	38页码:42-45
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/3055882
专题	重庆大学
推荐引用方式 GB/T 7714	陈泓霖[1,2],李伟[1,2],武鹏飞[1,2],等. 掺杂铌和钴元素的PZT薄膜的残余应力测定 Measurement of Residual Stress in PZT Thin Film with Nb and Co Dopants[J],2016,38:42-45.
APA	陈泓霖[1,2],李伟[1,2],武鹏飞[1,2],丁长路[1,2],&杨凯[1,2].(2016).掺杂铌和钴元素的PZT薄膜的残余应力测定 Measurement of Residual Stress in PZT Thin Film with Nb and Co Dopants.,38,42-45.
MLA	陈泓霖[1,2],et al."掺杂铌和钴元素的PZT薄膜的残余应力测定 Measurement of Residual Stress in PZT Thin Film with Nb and Co Dopants".38(2016):42-45.

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