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	光化学氧化对多孔硅稳定性及SO2传感性能影响 Effect of Photochemical Oxidization on Stability and SO2 Sensing Performance of Porous Silicon
	黎学明[1]; 王力春[1]; 杨建春[2]
	2007
卷号	24页码:512-516
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/3032503
专题	重庆大学
推荐引用方式 GB/T 7714	黎学明[1],王力春[1],杨建春[2]. 光化学氧化对多孔硅稳定性及SO2传感性能影响 Effect of Photochemical Oxidization on Stability and SO2 Sensing Performance of Porous Silicon[J],2007,24:512-516.
APA	黎学明[1],王力春[1],&杨建春[2].(2007).光化学氧化对多孔硅稳定性及SO2传感性能影响 Effect of Photochemical Oxidization on Stability and SO2 Sensing Performance of Porous Silicon.,24,512-516.
MLA	黎学明[1],et al."光化学氧化对多孔硅稳定性及SO2传感性能影响 Effect of Photochemical Oxidization on Stability and SO2 Sensing Performance of Porous Silicon".24(2007):512-516.

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