基于键合线等效电阻的IGBT模块老化失效研究 Study of IGBT Module Aging Failure Base on Bond Wire Equivalent Resistance | |
彭英舟[1]; 周雒维[1]; 张晏铭[1]; 孙鹏菊[1]; 杜雄[1] | |
2017 | |
卷号 | 32页码:117-123 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/3032121 |
专题 | 重庆大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭英舟[1],周雒维[1],张晏铭[1],等. 基于键合线等效电阻的IGBT模块老化失效研究 Study of IGBT Module Aging Failure Base on Bond Wire Equivalent Resistance[J],2017,32:117-123. |
APA | 彭英舟[1],周雒维[1],张晏铭[1],孙鹏菊[1],&杜雄[1].(2017).基于键合线等效电阻的IGBT模块老化失效研究 Study of IGBT Module Aging Failure Base on Bond Wire Equivalent Resistance.,32,117-123. |
MLA | 彭英舟[1],et al."基于键合线等效电阻的IGBT模块老化失效研究 Study of IGBT Module Aging Failure Base on Bond Wire Equivalent Resistance".32(2017):117-123. |
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