多孔硅的化学浸蚀制备与表征 Fabrication and Characterization of Porous Silicon Using Chemical Etching Method | |
黎学明[1]; 刘强[1]; 郁卫飞[2]; 黄亨建[2] | |
2007 | |
卷号 | 28页码:663-666 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/3002839 |
专题 | 重庆大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 黎学明[1],刘强[1],郁卫飞[2],等. 多孔硅的化学浸蚀制备与表征 Fabrication and Characterization of Porous Silicon Using Chemical Etching Method[J],2007,28:663-666. |
APA | 黎学明[1],刘强[1],郁卫飞[2],&黄亨建[2].(2007).多孔硅的化学浸蚀制备与表征 Fabrication and Characterization of Porous Silicon Using Chemical Etching Method.,28,663-666. |
MLA | 黎学明[1],et al."多孔硅的化学浸蚀制备与表征 Fabrication and Characterization of Porous Silicon Using Chemical Etching Method".28(2007):663-666. |
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