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	变掺杂GaN光电阴极的制备及发射机理研究 Preparation and Photoemission Mechanisms of Varied-Doping GaN Photocathode
	杜晓晴[1]; 田健[1]; 常本康[2]
	2012
卷号	32页码:12-16
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/3000953
专题	重庆大学
推荐引用方式 GB/T 7714	杜晓晴[1],田健[1],常本康[2]. 变掺杂GaN光电阴极的制备及发射机理研究 Preparation and Photoemission Mechanisms of Varied-Doping GaN Photocathode[J],2012,32:12-16.
APA	杜晓晴[1],田健[1],&常本康[2].(2012).变掺杂GaN光电阴极的制备及发射机理研究 Preparation and Photoemission Mechanisms of Varied-Doping GaN Photocathode.,32,12-16.
MLA	杜晓晴[1],et al."变掺杂GaN光电阴极的制备及发射机理研究 Preparation and Photoemission Mechanisms of Varied-Doping GaN Photocathode".32(2012):12-16.

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