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	衬底温度对磁控溅射法制备的ZnO：In薄膜光电性能的影响 Effects of Substrate Temperature on Optoelectronic Properties of ZnO ~ In Film Prepared by RF Magnetron Sputtering
	杨小飞[1]; 方亮[1,2]; 彭丽萍[1]; 黄秋柳[1]; 周科[1]; 孔春阳[3]
	2009
卷号	30页码:711-714
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/3000864
专题	重庆大学
推荐引用方式 GB/T 7714	杨小飞[1],方亮[1,2],彭丽萍[1],等. 衬底温度对磁控溅射法制备的ZnO：In薄膜光电性能的影响 Effects of Substrate Temperature on Optoelectronic Properties of ZnO ~ In Film Prepared by RF Magnetron Sputtering[J],2009,30:711-714.
APA	杨小飞[1],方亮[1,2],彭丽萍[1],黄秋柳[1],周科[1],&孔春阳[3].(2009).衬底温度对磁控溅射法制备的ZnO：In薄膜光电性能的影响 Effects of Substrate Temperature on Optoelectronic Properties of ZnO ~ In Film Prepared by RF Magnetron Sputtering.,30,711-714.
MLA	杨小飞[1],et al."衬底温度对磁控溅射法制备的ZnO：In薄膜光电性能的影响 Effects of Substrate Temperature on Optoelectronic Properties of ZnO ~ In Film Prepared by RF Magnetron Sputtering".30(2009):711-714.

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