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	L-丙氨酸掺杂下ZTS晶体法向生长动力学及化学侵蚀研究 Normal growth kinetics of L-alanine doped ZTS crystals and chemical etching studies
	曹亚超[1]; 李明伟[1]; 潘翠连[1]; 朱廷霞[1]; 尹华伟[1]; 程旻[1]
	2014
卷号	45页码:11061-11065
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2997059
专题	重庆大学
推荐引用方式 GB/T 7714	曹亚超[1],李明伟[1],潘翠连[1],等. L-丙氨酸掺杂下ZTS晶体法向生长动力学及化学侵蚀研究 Normal growth kinetics of L-alanine doped ZTS crystals and chemical etching studies[J],2014,45:11061-11065.
APA	曹亚超[1],李明伟[1],潘翠连[1],朱廷霞[1],尹华伟[1],&程旻[1].(2014).L-丙氨酸掺杂下ZTS晶体法向生长动力学及化学侵蚀研究 Normal growth kinetics of L-alanine doped ZTS crystals and chemical etching studies.,45,11061-11065.
MLA	曹亚超[1],et al."L-丙氨酸掺杂下ZTS晶体法向生长动力学及化学侵蚀研究 Normal growth kinetics of L-alanine doped ZTS crystals and chemical etching studies".45(2014):11061-11065.

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