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	磁记忆拉伸应力测量中外磁场干扰的影响 Effects of external magnetic field interference on tensile stress measurement with magnetic memory technology
	刘琳[1]; 陈伟民[1]; 章鹏[1]; 谭艾英[1]
	2012
卷号	33页码:2194-2199
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2992688
专题	重庆大学
推荐引用方式 GB/T 7714	刘琳[1],陈伟民[1],章鹏[1],等. 磁记忆拉伸应力测量中外磁场干扰的影响 Effects of external magnetic field interference on tensile stress measurement with magnetic memory technology[J],2012,33:2194-2199.
APA	刘琳[1],陈伟民[1],章鹏[1],&谭艾英[1].(2012).磁记忆拉伸应力测量中外磁场干扰的影响 Effects of external magnetic field interference on tensile stress measurement with magnetic memory technology.,33,2194-2199.
MLA	刘琳[1],et al."磁记忆拉伸应力测量中外磁场干扰的影响 Effects of external magnetic field interference on tensile stress measurement with magnetic memory technology".33(2012):2194-2199.

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