磁记忆拉伸应力测量中外磁场干扰的影响 Effects of external magnetic field interference on tensile stress measurement with magnetic memory technology | |
刘琳[1]; 陈伟民[1]; 章鹏[1]; 谭艾英[1] | |
2012 | |
卷号 | 33页码:2194-2199 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2992688 |
专题 | 重庆大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘琳[1],陈伟民[1],章鹏[1],等. 磁记忆拉伸应力测量中外磁场干扰的影响 Effects of external magnetic field interference on tensile stress measurement with magnetic memory technology[J],2012,33:2194-2199. |
APA | 刘琳[1],陈伟民[1],章鹏[1],&谭艾英[1].(2012).磁记忆拉伸应力测量中外磁场干扰的影响 Effects of external magnetic field interference on tensile stress measurement with magnetic memory technology.,33,2194-2199. |
MLA | 刘琳[1],et al."磁记忆拉伸应力测量中外磁场干扰的影响 Effects of external magnetic field interference on tensile stress measurement with magnetic memory technology".33(2012):2194-2199. |
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