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	1053nm高速超辐射发光二极管的研制及其光电特性 Preparation and photoelectric characteristics of high speed superluminescent diode emitting at 1 053 nm
	段利华[1,2,3]; 张淑芳[4]; 周勇[3]; 张靖[3]; 郭洪[3]; 罗庆春[3]; 方亮[1,2]
	2015
卷号	34页码:218-223
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2986362
专题	重庆大学
推荐引用方式 GB/T 7714	段利华[1,2,3],张淑芳[4],周勇[3],等. 1053nm高速超辐射发光二极管的研制及其光电特性 Preparation and photoelectric characteristics of high speed superluminescent diode emitting at 1 053 nm[J],2015,34:218-223.
APA	段利华[1,2,3].,张淑芳[4].,周勇[3].,张靖[3].,郭洪[3].,...&方亮[1,2].(2015).1053nm高速超辐射发光二极管的研制及其光电特性 Preparation and photoelectric characteristics of high speed superluminescent diode emitting at 1 053 nm.,34,218-223.
MLA	段利华[1,2,3],et al."1053nm高速超辐射发光二极管的研制及其光电特性 Preparation and photoelectric characteristics of high speed superluminescent diode emitting at 1 053 nm".34(2015):218-223.

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