| 质子在氮化镓中产生位移损伤的Geant4模拟 | |
| 何博文; 贺朝会; 申帅帅; 陈袁妙梁 | |
| 刊名 | 原子能科学技术
 |
| 2017 | |
| 页码 | 543-548 |
| 关键词 | 氮化镓 Geant4 质子 位移损伤 |
| ISSN号 | 1000-6931 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2939778 |
| 专题 | 西安交通大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 何博文,贺朝会,申帅帅,等. 质子在氮化镓中产生位移损伤的Geant4模拟[J]. 原子能科学技术,2017:543-548. |
| APA | 何博文,贺朝会,申帅帅,&陈袁妙梁.(2017).质子在氮化镓中产生位移损伤的Geant4模拟.原子能科学技术,543-548. |
| MLA | 何博文,et al."质子在氮化镓中产生位移损伤的Geant4模拟".原子能科学技术 (2017):543-548. |
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