| GaAs(100)表面氧化的XPS研究 | |
| 任殿胜1; 王为1; 李雨辰2; 严如岳2 | |
| 刊名 | 化学物理学报
 |
| 2004 | |
| 卷号 | 第17卷页码:P87-90 |
| 关键词 | XPS/砷化镓/表面氧化 |
| ISSN号 | 1674-0068 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2935743 |
| 专题 | 天津大学 |
| 作者单位 | 1.天津大学化工学院, 天津, 300072/2.中国电子科技集团公司第四十六研究所, 天津, 300192 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 任殿胜1,王为1,李雨辰2,等. GaAs(100)表面氧化的XPS研究[J]. 化学物理学报,2004,第17卷:P87-90. |
| APA | 任殿胜1,王为1,李雨辰2,&严如岳2.(2004).GaAs(100)表面氧化的XPS研究.化学物理学报,第17卷,P87-90. |
| MLA | 任殿胜1,et al."GaAs(100)表面氧化的XPS研究".化学物理学报 第17卷(2004):P87-90. |
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