低温生长GaAs在Nd∶YVO4激光器中调Q特性的研究 | |
姜其畅1; 卓壮1; 王勇刚2; 李健1; 苏艳丽1; 马骁宇2; 张志刚3; 王清月3 | |
刊名 | 光子学报
![]() |
2006 | |
卷号 | 第8期页码:P1133-1136 |
关键词 | 低温生长GaAs/被动调Q/Nd:YVO4激光器/半导体抽运 |
ISSN号 | 1004-4213 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2934823 |
专题 | 天津大学 |
作者单位 | 1.山东师范大学物理与电子科学学院, 济南, 250014/2.中国科学院半导体研究所, 北京, 100083/3.天津大学精密仪器与光电子工程学院超快激光实验室, 天津, 300072 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 姜其畅1,卓壮1,王勇刚2,等. 低温生长GaAs在Nd∶YVO4激光器中调Q特性的研究[J]. 光子学报,2006,第8期:P1133-1136. |
APA | 姜其畅1.,卓壮1.,王勇刚2.,李健1.,苏艳丽1.,...&王清月3.(2006).低温生长GaAs在Nd∶YVO4激光器中调Q特性的研究.光子学报,第8期,P1133-1136. |
MLA | 姜其畅1,et al."低温生长GaAs在Nd∶YVO4激光器中调Q特性的研究".光子学报 第8期(2006):P1133-1136. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论