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低温生长GaAs在Nd∶YVO4激光器中调Q特性的研究
姜其畅1; 卓壮1; 王勇刚2; 李健1; 苏艳丽1; 马骁宇2; 张志刚3; 王清月3
刊名光子学报
2006
卷号第8期页码:P1133-1136
关键词低温生长GaAs/被动调Q/Nd:YVO4激光器/半导体抽运
ISSN号1004-4213
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内容类型期刊论文
URI标识http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2934823
专题天津大学
作者单位1.山东师范大学物理与电子科学学院, 济南, 250014/2.中国科学院半导体研究所, 北京, 100083/3.天津大学精密仪器与光电子工程学院超快激光实验室, 天津, 300072
推荐引用方式
GB/T 7714
姜其畅1,卓壮1,王勇刚2,等. 低温生长GaAs在Nd∶YVO4激光器中调Q特性的研究[J]. 光子学报,2006,第8期:P1133-1136.
APA 姜其畅1.,卓壮1.,王勇刚2.,李健1.,苏艳丽1.,...&王清月3.(2006).低温生长GaAs在Nd∶YVO4激光器中调Q特性的研究.光子学报,第8期,P1133-1136.
MLA 姜其畅1,et al."低温生长GaAs在Nd∶YVO4激光器中调Q特性的研究".光子学报 第8期(2006):P1133-1136.
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