| MOS晶体管V1@T@成品率与沟道长度的关系 | |
| 张德龙 丁桂兰 陈才和 | |
| 刊名 | 电子学报
 |
| 1990 | |
| 卷号 | 第18卷页码:P102 |
| 关键词 | 钛扩散Nd:LiNbO3波导激光器/模场尺寸/有效折射率/单模条件 |
| ISSN号 | 0372-2112 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2934638 |
| 专题 | 天津大学 |
| 作者单位 | 天津大学精密仪器与光电子工程学院, 光电信息技术科学开放实验室, 天津, 300072 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张德龙 丁桂兰 陈才和. MOS晶体管V1@T@成品率与沟道长度的关系[J]. 电子学报,1990,第18卷:P102. |
| APA | 张德龙 丁桂兰 陈才和.(1990).MOS晶体管V1@T@成品率与沟道长度的关系.电子学报,第18卷,P102. |
| MLA | 张德龙 丁桂兰 陈才和."MOS晶体管V1@T@成品率与沟道长度的关系".电子学报 第18卷(1990):P102. |
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