| 用相干刻蚀制作大面积的二维纳米阵列 | |
| Wang Chengyang1; Li Mingwei1; Zheng Jiaming1; Michio Inagaki2 | |
| 刊名 | 光电子·激光
 |
| 2003 | |
| 卷号 | 第14卷页码:P1054-1057 |
| 关键词 | Mesophase pitch/Viscoelasticity/Carbon fibers/X-ray diffraction |
| ISSN号 | 1005-0086 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2933206 |
| 专题 | 天津大学 |
| 作者单位 | 1.School of Chemical Engineering and Technology, Tianjin University, 天津, 300072/2.Department of Appliced Chemistry, Aichi Institute of Technology |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang Chengyang1,Li Mingwei1,Zheng Jiaming1,等. 用相干刻蚀制作大面积的二维纳米阵列[J]. 光电子·激光,2003,第14卷:P1054-1057. |
| APA | Wang Chengyang1,Li Mingwei1,Zheng Jiaming1,&Michio Inagaki2.(2003).用相干刻蚀制作大面积的二维纳米阵列.光电子·激光,第14卷,P1054-1057. |
| MLA | Wang Chengyang1,et al."用相干刻蚀制作大面积的二维纳米阵列".光电子·激光 第14卷(2003):P1054-1057. |
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