| 基于SiGe BiCMOS工艺的高速光接收机模拟前端电路 | |
| 谢生1; * 谷由之1; 毛陆虹2; 吴思聪1; 高谦1 | |
| 刊名 | 天津大学学报(自然科学与工程技术版)
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| 2018 | |
| 卷号 | 第51卷页码:P57-63 |
| 关键词 | 光接收机/跨阻放大器/改进型Cherry-Hooper/直流偏移消除电路/锗硅双极-互补金属-氧化物-半导体 |
| ISSN号 | 0493-2137 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2931252 |
| 专题 | 天津大学 |
| 作者单位 | 1.天津大学微电子学院, 天津市成像与感知微电子技术重点实验室, 天津, 300072/2.天津大学电气自动化与信息工程学院, 天津, 300072 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谢生1,* 谷由之1,毛陆虹2,等. 基于SiGe BiCMOS工艺的高速光接收机模拟前端电路[J]. 天津大学学报(自然科学与工程技术版),2018,第51卷:P57-63. |
| APA | 谢生1,* 谷由之1,毛陆虹2,吴思聪1,&高谦1.(2018).基于SiGe BiCMOS工艺的高速光接收机模拟前端电路.天津大学学报(自然科学与工程技术版),第51卷,P57-63. |
| MLA | 谢生1,et al."基于SiGe BiCMOS工艺的高速光接收机模拟前端电路".天津大学学报(自然科学与工程技术版) 第51卷(2018):P57-63. |
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