| Performance of hydrogenated diamond MISFET using Zr-Si-N as the dielectric layer | |
| Zhang, Pengfei; Yan, Shufang; Wang, Wei; Zhang, Shujia; Wang, Yanfeng; Wang, Jingjing; Chen, Weidong; Wang, Hong-Xing | |
| 2017 | |
| 关键词 | devices diamond semiconducting |
| 卷号 | 2 |
| 页码 | 3037-3044 |
| 会议录 | MRS Advances
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| URL标识 | 查看原文 |
| ISSN号 | 2059-8521 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2927656 |
| 专题 | 西安交通大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang, Pengfei,Yan, Shufang,Wang, Wei,et al. Performance of hydrogenated diamond MISFET using Zr-Si-N as the dielectric layer[C]. 见:. |
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