A L-Band Gain Controllable CMOS LNA

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	A L-Band Gain Controllable CMOS LNA
	Chen, FH ; Lin, SY ; Duo, XZ ; Sun, XW
刊名	APMC: 2009 ASIA PACIFIC MICROWAVE CONFERENCE, VOLS 1-5
	2009
期号	1-5 页码:1124-1127
关键词	LOW-NOISE AMPLIFIER RECEIVERS
通讯作者	Chen, FH, Chinese Acad Sci, RF & Microwave Lab, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, 865 Chang Ning Rd, Shanghai, Peoples R China
学科主题	Engineering ; Electrical & Electronic; Physics ; Applied
收录类别	CPCI（ISTP）
公开日期	2011-11-03
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/11043]
专题	上海微系统与信息技术研究所_太赫兹、微波射频技术_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	Chen, FH,Lin, SY,Duo, XZ,et al. A L-Band Gain Controllable CMOS LNA[J]. APMC: 2009 ASIA PACIFIC MICROWAVE CONFERENCE, VOLS 1-5,2009(1-5):1124-1127.
APA	Chen, FH,Lin, SY,Duo, XZ,&Sun, XW.(2009).A L-Band Gain Controllable CMOS LNA.APMC: 2009 ASIA PACIFIC MICROWAVE CONFERENCE, VOLS 1-5(1-5),1124-1127.
MLA	Chen, FH,et al."A L-Band Gain Controllable CMOS LNA".APMC: 2009 ASIA PACIFIC MICROWAVE CONFERENCE, VOLS 1-5 .1-5(2009):1124-1127.