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	Crystal growth of Ge2Sb2Te5 at high temperatures
	Ronneberger, I.; Zhang, W.; Mazzarello, R.
刊名	MRS Communications
	2018
卷号	8页码:1018-1023
关键词	Ab initio molecular dynamics Electronic storage devices Finite size effect High temperature Metadynamics State of the art Storage-class memory Temperature dependent behavior
ISSN号	2159-6859
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2921336
专题	西安交通大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Ronneberger, I.,Zhang, W.,Mazzarello, R.. Crystal growth of Ge2Sb2Te5 at high temperatures[J]. MRS Communications,2018,8:1018-1023.
APA	Ronneberger, I.,Zhang, W.,&Mazzarello, R..(2018).Crystal growth of Ge2Sb2Te5 at high temperatures.MRS Communications,8,1018-1023.
MLA	Ronneberger, I.,et al."Crystal growth of Ge2Sb2Te5 at high temperatures".MRS Communications 8(2018):1018-1023.

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