半导体器件制造方法

	半导体器件制造方法
	叶甜春
	2018-05-15
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201510514552.9
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	一种半导体器件制造方法，包括步骤：在衬底上形成栅介质层和第一非晶沟道层；减薄第一非晶沟道层；刻蚀第一非晶沟道层、栅介质层直至暴露衬底；在第一非晶沟道层和衬底上形成第二非晶沟道层；退火，使得第一非晶沟道层和第二非晶沟道层转变为多晶沟道层；减薄多晶沟道层。依照本发明的半导体器件制造方法，沉积非晶厚膜再减薄退火以提高多晶薄膜的晶粒大小，并利用额外的保护层避免侧壁刻蚀损伤，能够有效地降低多晶沟道层的界面态、损伤缺陷，从而提高器件的可靠性。
公开日期	2016-01-06
申请日期	2015-08-20
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18726]
专题	微电子研究所_存储器研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	叶甜春. 半导体器件制造方法. CN201510514552.9. 2018-05-15.