半导体器件制造方法 | |
叶甜春![]() | |
2018-05-15 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN201510514552.9 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 一种半导体器件制造方法,包括步骤:在衬底上形成栅介质层和第一非晶沟道层;减薄第一非晶沟道层;刻蚀第一非晶沟道层、栅介质层直至暴露衬底;在第一非晶沟道层和衬底上形成第二非晶沟道层;退火,使得第一非晶沟道层和第二非晶沟道层转变为多晶沟道层;减薄多晶沟道层。依照本发明的半导体器件制造方法,沉积非晶厚膜再减薄退火以提高多晶薄膜的晶粒大小,并利用额外的保护层避免侧壁刻蚀损伤,能够有效地降低多晶沟道层的界面态、损伤缺陷,从而提高器件的可靠性。 |
公开日期 | 2016-01-06 |
申请日期 | 2015-08-20 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18726] ![]() |
专题 | 微电子研究所_存储器研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 叶甜春. 半导体器件制造方法. CN201510514552.9. 2018-05-15. |
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