三维半导体器件及其制造方法

	三维半导体器件及其制造方法
	叶甜春; 霍宗亮
	2018-03-30
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201510713805.5
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	一种三维半导体器件，包括：外围电路，分布在衬底上；多个存储单元，在外围电路之上，每一个包括：共源区，在存储单元与外围电路之间；沟道层，沿垂直于衬底表面的方向分布；至少一个衬底接触层，从沟道层中部平行于衬底表面水平延伸，每个包括至少一个衬底接触区；多个绝缘层，位于沟道层的侧壁上；多个控制栅极，夹设在相邻的绝缘层之间；栅极介质层，位于沟道层与控制栅极之间；漏区，在沟道层顶部；衬底接触引出线，电连接衬底接触区；以及位线布线，电连接每个存储单元的漏区与外围电路。在存储串的中段形成衬底接触，提高存储器擦写的性能和可靠性，提高存储阵列的存储密度，减少整个存储芯片的面积，降低成本。
公开日期	2016-01-20
申请日期	2015-10-28
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18724]
专题	微电子研究所_存储器研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	叶甜春,霍宗亮. 三维半导体器件及其制造方法. CN201510713805.5. 2018-03-30.