| 半导体制造方法 | |
| 李俊峰; 李春龙 | |
| 2011-04-17 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 一种半导体制造方法，在批量离子注入工艺中，在虚设晶圆上形成与欲进行离子注入的晶圆上相同的光刻胶图案，这样，虚设晶圆与欲进行离子注入的晶圆的光刻胶传输比(PR?transmission?ratio)相同，因此同一批次中的各个晶圆总的光刻胶传输比可以保持稳定和一致，这使所需要的压力补偿在各个晶圆处保持稳定，便于控制，从而使最终的批量注入剂量可以保持稳定和一致。 |
| 状态 | 公开 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16051]  |
| 专题 | 微电子研究所_存储器研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李俊峰,李春龙. 半导体制造方法. 2011-04-17. |
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