高频DC‑DC降压拓扑和集成芯片以及相关系统

	高频DC‑DC降压拓扑和集成芯片以及相关系统
	李志强; 张海英; 萧延彬; 张雪
	2017-04-05
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201410552905.X
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本申请公开了一种高频DC‑DC降压拓扑及其集成芯片，本申请公开的所述高频DC‑DC降压拓扑中设置有所述第一MOS管和所述谐振电感，使得所述高频DC‑DC降压拓扑中的第二MOS管与第三MOS管实现了零电压导通，即本申请提供的所述高频DC‑DC降压拓扑中的开关管全部实现了软开关控制，因此本申请提供的高频DC‑DC降压拓扑明显降低了在甚高频状态下工作时的能量损耗。
公开日期	2014-12-24
申请日期	2014-10-17
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/17746]
专题	微电子研究所_健康电子研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李志强,张海英,萧延彬,等. 高频DC‑DC降压拓扑和集成芯片以及相关系统. CN201410552905.X. 2017-04-05.