一种基于中和电容的60GHz CMOS差分LNA

	一种基于中和电容的60GHz CMOS差分LNA
	王明华; 张海英; 刘昱; 王硕; 李志强; 张健
刊名	微电子学
	2016-02-20
文献子类	期刊论文
英文摘要	针对毫米波频段下硅基CMOS晶体管的栅漏寄生电容严重影响放大器的增益和隔离度的问题,采用交叉耦合中和电容抵消其影响,设计了一款60GHz三级差分共源极低噪声放大器(LNA)。为减小级间匹配无源器件的损耗,节省芯片面积,采用变压器进行级间耦合。基于SMIC55nm RF CMOS工艺,进行了电路原理图和版图的设计与仿真。仿真结果显示,该LNA输入输出匹配良好,功率增益为21.1dB,3dB带宽为57.3~61.5GHz,噪声系数为5.5dB,输出1dB压缩点为-0.64dBm,功耗为34.4mW,芯片尺寸为390μm×670μm。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/16162]
专题	微电子研究所_健康电子研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	王明华,张海英,刘昱,等. 一种基于中和电容的60GHz CMOS差分LNA[J]. 微电子学,2016.
APA	王明华,张海英,刘昱,王硕,李志强,&张健.(2016).一种基于中和电容的60GHz CMOS差分LNA.微电子学.
MLA	王明华,et al."一种基于中和电容的60GHz CMOS差分LNA".微电子学 (2016).