鳍式场效应晶体管及其源漏区的制造方法

	鳍式场效应晶体管及其源漏区的制造方法
	秦长亮; 殷华湘; 李俊峰; 赵超
	2018-09-11
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201410681974.0
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种鳍式场效应晶体管源漏区的制造方法，包括：提供衬底，衬底中形成有相互隔离的鳍；进行源漏区外延前的前烘，以去除鳍上源漏区的自然氧化层，并在前烘的腔室中对源漏区进行回流；进行源漏区的外延生长。本发明提高外延层在源漏区的比例，为沟道提供更大的应力。同时，回流后鳍的原子重新排列，降低了鳍中的缺陷，提高了后续外延层的质量。
公开日期	2016-06-22
申请日期	2014-11-24
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18836]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	秦长亮,殷华湘,李俊峰,等. 鳍式场效应晶体管及其源漏区的制造方法. CN201410681974.0. 2018-09-11.