鳍式场效应晶体管及其源漏区的制造方法 | |
秦长亮; 殷华湘![]() ![]() ![]() | |
2018-09-11 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN201410681974.0 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明公开了一种鳍式场效应晶体管源漏区的制造方法,包括:提供衬底,衬底中形成有相互隔离的鳍;进行源漏区外延前的前烘,以去除鳍上源漏区的自然氧化层,并在前烘的腔室中对源漏区进行回流;进行源漏区的外延生长。本发明提高外延层在源漏区的比例,为沟道提供更大的应力。同时,回流后鳍的原子重新排列,降低了鳍中的缺陷,提高了后续外延层的质量。 |
公开日期 | 2016-06-22 |
申请日期 | 2014-11-24 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18836] ![]() |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 秦长亮,殷华湘,李俊峰,等. 鳍式场效应晶体管及其源漏区的制造方法. CN201410681974.0. 2018-09-11. |
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