NAND存储串及其制造方法、3D NAND存储器

	NAND存储串及其制造方法、3D NAND存储器
	李俊锋; 朱慧珑; 赵恒亮
	2018-07-31
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201410540148.4
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	公开了一种与非(NAND)存储串及其制造方法以及包括该NAND存储串的三维(3D)NAND存储器。一示例NAND存储串可以包括：沿串的延伸方向设置的多个存储单元；沿的串延伸方向延伸的背栅结构，包括背栅电极以及绕背栅电极外周设置的背栅介质层，其中，所述多个存储单元各自绕所述所述背栅结构的外周设置。
公开日期	2016-04-20
申请日期	2014-10-14
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18816]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李俊锋,朱慧珑,赵恒亮. NAND存储串及其制造方法、3D NAND存储器. CN201410540148.4. 2018-07-31.