一种半导体器件的制造方法

	一种半导体器件的制造方法
	王桂磊; 赵超; 徐强; 陈韬; 杨涛; 李俊峰
	2018-07-20
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201410141701.7
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：在衬底上形成栅沟槽；在栅沟槽中形成栅介质层以及其上的金属栅极层；在金属栅极层表面上形成扩散阻挡层；采用ALD工艺填充钨层，具体步骤为：通过交替进行第一反应和第二反应填充钨层，其中，第一反应的反应气体包括含硅反应气体，第二反应的反应气体包括硼烷。本发明通过交替通入含硅气体和硼烷气体进行反应来形成钨层，在保证了钨的填孔性能的同时，避免了硼元素在扩散阻挡层的界面富集以及穿透到之下的栅极介质层和栅极中，提升了后道CMP工艺集成的可靠性，同时也降低了栅极电阻。
公开日期	2015-10-14
申请日期	2014-04-09
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18810]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	王桂磊,赵超,徐强,等. 一种半导体器件的制造方法. CN201410141701.7. 2018-07-20.