互连结构

	互连结构
	钟汇才; 朱慧珑; 张鹏
	2018-06-22
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201310395701.5
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种互连结构，包括：芯片，具有上表面和下表面；穿硅通孔（TSV），贯穿芯片的上下表面；TSV光纤通路，由光纤填充在TSV中形成，作为芯片间的互连介质，至少与芯片一个表面中的半导体器件实现电接触和/或电连接。依照本发明的互连结构，在TSV结构的3D封装中使用光纤替代传统的金属互连，解决了在高速数据传输中电互连存在的延迟、功耗、带宽等缺点，另外提出了在电信号的输出端与光发送器之间根据需要增加可编程器件或数据分配器，极大的增加了封装设计的灵活性。
公开日期	2015-03-18
申请日期	2013-09-03
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18799]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	钟汇才,朱慧珑,张鹏. 互连结构. CN201310395701.5. 2018-06-22.