半导体器件

	半导体器件
	殷华湘; 贾云丛; 袁烽; 陈大鹏
	2018-02-13
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201410812062.2
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明提供了一种半导体X线探测器及其制造方法和操作方法，将低温TFT集成在硅基二极管阵列中，以形成在片的信号处理和放大电路，这样，可以即时地放大由PIN二极管获取的微弱电信号，抑制噪声，提高灵敏度；同时，通过低温TFT在片放大信号，可以降低铟柱封装引线中的寄生电容的影响；另外，低温TFT的工艺对硅基二极管像素单元的探测灵敏度没有影响，也不影响到后续的铟柱倒装焊的封装工艺。
公开日期	2016-07-20
申请日期	2014-12-22
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18761]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	殷华湘,贾云丛,袁烽,等. 半导体器件. CN201410812062.2. 2018-02-13.