半导体器件制造方法

	半导体器件制造方法
	项金娟; 赵超
	2018-02-13
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201410353945.1
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了种半导体器件制造方法，包括：在下层结构上形成介质层；在介质层中形成暴露下层结构一部分的沟槽和/或孔；在沟槽和/或孔中生长界面层；在所述界面层上沉积绝缘介质层；在所述绝缘介质层上沉积栅电极层；在所述栅电极层上沉积吸氧层。在所述吸氧层上形成金属材质的上层结构。依照本发明的半导体器件制造方法，采用铝基还原剂与金属前驱物反应形成吸氧层，避免了悬挂效应造成的孔洞形成，提高了金属填充率，同时避免下层结构受损，提高了器件可靠性。
公开日期	2016-02-17
申请日期	2014-07-23
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18760]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	项金娟,赵超. 半导体器件制造方法. CN201410353945.1. 2018-02-13.