半导体器件制造方法

	半导体器件制造方法
	秦长亮; 梁擎擎; 殷华湘; 毛淑娟
	2018-02-13
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201210382067.7
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明提供了一种利用间隙壁技术形成栅极的晶体管的制造方法。在本发明的方法中，在第一材料层的侧面，依次形成第一间隙壁、第二间隙壁、第三间隙壁以及第四间隙壁，通过去除第二间隙壁形成了宽度由第二间隙壁控制的栅极凹槽，继而在栅极凹槽中形成所需要的栅极和栅极绝缘层。本发明中，利用回刻蚀形成间隙壁，不需要采用额外的掩模版，并且，通过控制第二间隙壁的宽度来限定栅极宽度，可以实现亚22nm的栅极线条的形成，并且使工艺具有良好的可控性。
公开日期	2014-04-16
申请日期	2012-10-10
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18751]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	秦长亮,梁擎擎,殷华湘,等. 半导体器件制造方法. CN201210382067.7. 2018-02-13.