半导体器件制造方法 | |
秦长亮; 梁擎擎![]() ![]() ![]() | |
2018-02-13 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN201210382067.7 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明提供了一种利用间隙壁技术形成栅极的晶体管的制造方法。在本发明的方法中,在第一材料层的侧面,依次形成第一间隙壁、第二间隙壁、第三间隙壁以及第四间隙壁,通过去除第二间隙壁形成了宽度由第二间隙壁控制的栅极凹槽,继而在栅极凹槽中形成所需要的栅极和栅极绝缘层。本发明中,利用回刻蚀形成间隙壁,不需要采用额外的掩模版,并且,通过控制第二间隙壁的宽度来限定栅极宽度,可以实现亚22nm的栅极线条的形成,并且使工艺具有良好的可控性。 |
公开日期 | 2014-04-16 |
申请日期 | 2012-10-10 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18751] ![]() |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 秦长亮,梁擎擎,殷华湘,等. 半导体器件制造方法. CN201210382067.7. 2018-02-13. |
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