控制鳍式场效应晶体管器件鳍片尺寸的方法

	控制鳍式场效应晶体管器件鳍片尺寸的方法
	殷华湘; 徐强; 熊文娟; 张永奎
	2018-01-02
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201410433485.3
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本申请公开一种控制鳍式场效应晶体管器件鳍片尺寸的方法。该方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成鳍片Fin；对所述Fin的关键尺寸进行测量；根据所述Fin的关键尺寸与Fin的规格要求的差异，查找预先获得的不同退火工艺对硅的消耗量，确定对所述衬底上的Fin的退火工艺；按照确定的退火工艺对所述衬底上的Fin进行退火。该方法避免了因Fin尺寸不符合规格要求而产生的重复光刻或产品报废问题，能够高效的修正或控制Fin的尺寸，避免了浪费。
公开日期	2016-03-02
申请日期	2014-08-28
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18737]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	殷华湘,徐强,熊文娟,等. 控制鳍式场效应晶体管器件鳍片尺寸的方法. CN201410433485.3. 2018-01-02.