Effects of Annealing Ambient on Interface Charge and Dipole in GeOx/Al2O3 Gate Stacks of Ge Based MOSCAP | |
Wang XL(王晓磊); Xiang JJ(项金娟); Zhao C(赵超); Wang WW(王文武); Ye TC(叶甜春); Zhou LX(周丽星) | |
2017-11-20 | |
文献子类 | 会议论文 |
内容类型 | 会议论文 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18274] |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang XL,Xiang JJ,Zhao C,et al. Effects of Annealing Ambient on Interface Charge and Dipole in GeOx/Al2O3 Gate Stacks of Ge Based MOSCAP[C]. 见:. |
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