Hotspots fixing flow in NTD process by using DTCO methodology at 10nm metal 1 layer | |
Wei YY(韦亚一)![]() ![]() ![]() ![]() | |
2017-02-21 | |
文献子类 | 会议论文 |
内容类型 | 会议论文 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18267] ![]() |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Wei YY,Ye TC,Chen Y,et al. Hotspots fixing flow in NTD process by using DTCO methodology at 10nm metal 1 layer[C]. 见:. |
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