半导体器件制造方法

	半导体器件制造方法
	殷华湘; 洪培真; 秦长亮; 尹海洲; 王桂磊; 赵超
	2017-11-21
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201210495187.8
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成多个假栅极堆叠、每个假栅极堆叠两侧的多个第一侧墙、以及多个第一侧墙之间的第一层间介质层；去除假栅极堆叠以及第一层间介质层，在衬底上留下多个第一侧墙；在每个第一侧墙两侧的衬底上形成多个第二侧墙；在多个第二侧墙之间形成第二层间介质层；去除第一侧墙和第二侧墙，形成多个源漏沟槽；在每个源漏沟槽中形成第三层间介质层；去除第二层间介质层，形成栅极沟槽；在栅极沟槽中形成栅极堆叠。依照本发明的半导体器件制造方法，采用多个侧墙和层间介质层的组合，多次分步形成栅极沟槽，减小了最终栅极堆叠的线宽，提高了器件的性能和可靠性。
公开日期	2014-06-11
申请日期	2012-11-28
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/17915]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	殷华湘,洪培真,秦长亮,等. 半导体器件制造方法. CN201210495187.8. 2017-11-21.