半导体器件制造方法

	半导体器件制造方法
	罗军; 邓坚; 赵超; 李俊峰; 陈大鹏
	2017-09-05
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201210147554.5
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括步骤：在衬底上形成栅极堆叠结构；在栅极堆叠结构两侧形成源漏区和栅极侧墙；在源漏区上淀积第一金属层；执行第一退火，使得第一金属层与源漏区反应，外延生长形成第一金属硅化物；在第一金属硅化物上淀积第二金属层；执行第二退火，使得第二金属层与第一金属硅化物及源漏区反应，形成第二金属硅化物。依照本发明的半导体器件制造方法，通过在源漏区上外延生长超薄的金属硅化物，减小或者消除了硅化物晶粒之间的晶界，限制了金属扩散速度和方向，从而抑制了金属硅化物的横向生长，进一步提高了器件的性能。
公开日期	2013-11-13
申请日期	2012-05-11
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/17885]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	罗军,邓坚,赵超,等. 半导体器件制造方法. CN201210147554.5. 2017-09-05.