| 一种栅堆叠及其制造方法 | |
| 许高博; 徐秋霞 | |
| 2013-08-16 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种栅堆叠，包括：衬底；衬底上的栅介质层以及栅介质层上的栅电极，在栅介质层与栅电极的第一界面处和/或栅介质层与衬底的第二界面处形成有电偶极子，其中，n型器件的电偶极子为La‑O或Ta‑O，p型器件的电偶极子为Ti‑O或Al‑O，所述栅电极为金属栅。在栅介质层与栅电极和/或栅介质层与衬底的界面处形成了电偶极子，电偶极子会使界面处的能级发生变化，使得金属栅的平带电压移动，有利于器件功函数的调整。 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/17884]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 许高博,徐秋霞. 一种栅堆叠及其制造方法. 2013-08-16. |
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