| 半导体器件制造方法 | |
| 尹海洲; 赵治国; 朱慧珑 | |
| 2012-09-17 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成栅极层，包括第一栅极层和第二栅极层；在栅极层一侧的衬底中形成第一掺杂区以及在衬底上形成第一侧墙；去除第二栅极层；在第一栅极层上形成第二侧墙；去除未被第二侧墙覆盖的第一栅极层，形成最终栅极线条。依照本发明的半导体器件制造方法，利用多个支撑侧墙来保护和控制栅极线条的形成，有效避免了小尺寸栅极线条的剥离，提高了器件的可靠性。 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/17864]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尹海洲,赵治国,朱慧珑. 半导体器件制造方法. 2012-09-17. |
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