半导体器件制造方法 | |
尹海洲; 赵治国; 朱慧珑 | |
2012-09-17 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明 |
英文摘要 | 本发明公开了一种半导体器件制造方法,包括:在衬底上形成栅极层,包括第一栅极层和第二栅极层;在栅极层一侧的衬底中形成第一掺杂区以及在衬底上形成第一侧墙;去除第二栅极层;在第一栅极层上形成第二侧墙;去除未被第二侧墙覆盖的第一栅极层,形成最终栅极线条。依照本发明的半导体器件制造方法,利用多个支撑侧墙来保护和控制栅极线条的形成,有效避免了小尺寸栅极线条的剥离,提高了器件的可靠性。 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/17864] ![]() |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 尹海洲,赵治国,朱慧珑. 半导体器件制造方法. 2012-09-17. |
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