| 半导体器件制造方法 | |
| 尹海洲; 秦长亮; 殷华湘 | |
| 2012-08-17 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种具有利于源漏外延的STI结构的晶体管制造方法。在形成STI结构的过程中，增加了第一间隙壁，由于第一间隙壁的存在，第一间隙壁正下方的与STI结构侧面相接的半导体衬底材料在源漏区域凹槽刻蚀的过程中得以保留，这使源漏区域凹槽的侧面和底面均为半导体衬底材料，有利于随后的源漏外延生长，可以获得足够的源漏材料，一方面可以向沟道提供期望的应力，另一方面，在形成硅化物源漏接触的工艺中，也不会由于源漏材料被消耗而使硅化物与衬底相连并导致泄漏电流增加，从而确保了晶体管的性能。 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/17810]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尹海洲,秦长亮,殷华湘. 半导体器件制造方法. 2012-08-17. |
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