一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅

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	一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅
	闫江; 李春龙; 李俊峰; 赵超
	2017-03-01
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201210509428.X
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明提供了一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅，该方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上生长栅极氧化层；在所述栅极氧化层上淀积底层非晶硅；在所述底层非晶硅上淀积ONO结构硬掩膜；在所述ONO结构硬掩膜上淀积顶层非晶硅；在所述顶层非晶硅上淀积硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成光刻胶线条，并对所形成的光刻胶线条进行微缩，使微缩后的光刻胶线条宽度小于等于22nm；以所述光刻胶线条为标准，对所述硬掩膜层、顶层非晶硅、ONO结构硬掩膜和底层非晶硅进行刻蚀，并去除所述光刻胶线条、硬掩膜层和顶层非晶硅。本发明能精确控制栅极的关键尺寸，栅极的剖面形貌，并能改善栅极线条粗糙度，保证了器件的性能及稳定性。
公开日期	2014-06-11
申请日期	2012-12-03
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/17804]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	闫江,李春龙,李俊峰,等. 一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅. CN201210509428.X. 2017-03-01.