一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅 | |
闫江![]() ![]() ![]() ![]() | |
2017-03-01 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN201210509428.X |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明提供了一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅,该方法包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底上生长栅极氧化层;在所述栅极氧化层上淀积底层非晶硅;在所述底层非晶硅上淀积ONO结构硬掩膜;在所述ONO结构硬掩膜上淀积顶层非晶硅;在所述顶层非晶硅上淀积硬掩膜层;在所述硬掩膜层上形成光刻胶线条,并对所形成的光刻胶线条进行微缩,使微缩后的光刻胶线条宽度小于等于22nm;以所述光刻胶线条为标准,对所述硬掩膜层、顶层非晶硅、ONO结构硬掩膜和底层非晶硅进行刻蚀,并去除所述光刻胶线条、硬掩膜层和顶层非晶硅。本发明能精确控制栅极的关键尺寸,栅极的剖面形貌,并能改善栅极线条粗糙度,保证了器件的性能及稳定性。 |
公开日期 | 2014-06-11 |
申请日期 | 2012-12-03 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/17804] ![]() |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 闫江,李春龙,李俊峰,等. 一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅. CN201210509428.X. 2017-03-01. |
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