超大规模集成电路先进光刻理论与应用 | |
韦亚一 | |
2016-05 | |
出版者 | 科学出版社 |
出版地 | 北京 |
英文摘要 | 光刻技术是所有微纳器件制造的核心技术。在集成电路制造中,正是由于光刻技术的不断提高才使得摩尔定律得以继续。本书覆盖现代光刻技术的重要方面,包括设备、材料、仿真(计算光刻)和工艺。在设备部分,对业界使用的主流设备进行剖析,介绍其原理结构、使用方法、和工艺参数的设置。在材料部分,介绍了包括光刻胶、抗反射涂层、抗水涂层、和使用旋图工艺的硬掩膜等材料的分子结构、使用方法,以及必须达到的性能参数。本书按照仿真技术发展的顺序,系统介绍基于经验的光学邻近效应修正、基于模型的光学邻近效应修正、亚曝光分辨率的辅助图形、光源-掩模版共优化技术和反演光刻技术。如何控制套刻精度是光刻中公认的技术难点,本书有一章专门讨论曝光对准系统和控制套刻精度的方法。另外,本书特别介绍新光刻工艺研究的方法论、光刻工程师的职责,以及如何协调各方资源保证研发进度。 |
ISBN | 9787030482686 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专著 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/17762] |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 韦亚一. 超大规模集成电路先进光刻理论与应用[M]. 北京:科学出版社,2016. |
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