金属源漏SOI MOS晶体管及其形成方法

	金属源漏SOI MOS晶体管及其形成方法
	赵超; 王文武; 钟汇才; 罗军
	2016-06-29
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201110161231.7
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	一种金属源漏SOI?MOS晶体管及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成介质层，所述介质层嵌入所述半导体衬底且其表面与所述半导体衬底的表面齐平；在所述介质层两侧的半导体衬底上形成金属硅化物层；在所述介质层上形成半导体层；在所述半导体层上形成栅极结构。本发明有利于降低工艺复杂度和生产成本，并克服小尺寸器件的短沟道效应。
公开日期	2012-12-19
申请日期	2011-06-15
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/16757]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	赵超,王文武,钟汇才,等. 金属源漏SOI MOS晶体管及其形成方法. CN201110161231.7. 2016-06-29.