| 一种半导体结构及其制造方法 | |
| 尹海洲; 骆志炯; 朱慧珑 | |
| 2011-12-09 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种半导体结构，该方法包括衬底、绝缘应力塞、半导体基体、栅极堆叠、侧墙、源/漏区，其中所述栅极堆叠位于所述半导体基体之上，所述侧墙位于所述栅极堆叠的侧壁上，所述源/漏区嵌于所述半导体基体中，并位于所述栅极堆叠的两侧，所述半导体基体嵌于所述绝缘应力塞中，在沿栅极长度的方向上，所述半导体基体中间的厚度大于其两侧的厚度，在沿栅极宽度的方向上，所述半导体基体与所述衬底相连，所述绝缘应力塞嵌于所述衬底中，在沿栅极长度的方向上，所述绝缘应力塞中间的厚度小于其两侧的厚度。相应地，本发明还提供了一种半导体结构的制造方法。利于抑制短沟效应，提高载流子的迁移率，提高器件性能。 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16742]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尹海洲,骆志炯,朱慧珑. 一种半导体结构及其制造方法. 2011-12-09. |
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