| MOSFET制造方法 | |
| 殷华湘; 付作振 | |
| 2011-12-15 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种MOSFET制造方法，包括步骤：步骤S1，在衬底上形成第一应力层；步骤S2，在第一应力层中形成假栅凹槽；步骤S3，在假栅凹槽中淀积形成假栅；步骤S4，去除第一应力层，留下假栅；以及步骤S5，执行后续工艺完成MOSFET制造。依照本发明的MOSFET制造方法，在应力绝缘薄膜中形成栅极形状的凹槽过程通过应力释放在器件沟道区引入应变，导致晶格形变并被记忆住，进而提高器件的电学性能。 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16741]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 殷华湘,付作振. MOSFET制造方法. 2011-12-15. |
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