半导体结构及其制造方法 | |
徐秋霞; 殷华湘![]() ![]() | |
2016-06-29 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN201210135857.5 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明提供了一种半导体结构,包括:衬底;栅堆叠,位于所述衬底之上,至少包括栅介质层和栅电极层;源/漏区,位于栅堆叠两侧的衬底中;STI结构,位于源/漏区两侧的衬底中,其中取决于所述半导体结构的类型,所述STI结构具有的剖面形状为正梯形、Sigma形或者倒梯形。相应地,本发明还提供了形成该半导体结构的制造方法。本发明可以不同形状的STI结构结合不同应力填充物对沟道横向产生不同的张应力或者压应力,由此分别对NMOS的电子迁移率和PMOS的空穴迁移率产生正面影响,增加器件的沟道电流,从而有效地提高了半导体结构的性能。 |
公开日期 | 2013-11-06 |
申请日期 | 2012-05-03 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16730] ![]() |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐秋霞,殷华湘,陈大鹏. 半导体结构及其制造方法. CN201210135857.5. 2016-06-29. |
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