半导体结构及其制造方法

	半导体结构及其制造方法
	徐秋霞; 殷华湘; 陈大鹏
	2016-06-29
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201210135857.5
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明提供了一种半导体结构，包括：衬底；栅堆叠，位于所述衬底之上，至少包括栅介质层和栅电极层；源/漏区，位于栅堆叠两侧的衬底中；STI结构，位于源/漏区两侧的衬底中，其中取决于所述半导体结构的类型，所述STI结构具有的剖面形状为正梯形、Sigma形或者倒梯形。相应地，本发明还提供了形成该半导体结构的制造方法。本发明可以不同形状的STI结构结合不同应力填充物对沟道横向产生不同的张应力或者压应力，由此分别对NMOS的电子迁移率和PMOS的空穴迁移率产生正面影响，增加器件的沟道电流，从而有效地提高了半导体结构的性能。
公开日期	2013-11-06
申请日期	2012-05-03
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/16730]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	徐秋霞,殷华湘,陈大鹏. 半导体结构及其制造方法. CN201210135857.5. 2016-06-29.