半导体器件及其制造方法

	半导体器件及其制造方法
	徐秋霞; 殷华湘; 马小龙; 陈大鹏
	2016-08-10
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201210083156.1
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了半导体器件，包括：第一MOSFET；第二MOSFET；第一应力衬层，覆盖了第一MOSFET，具有第一应力；第二应力衬层，覆盖了第二MOSFET，具有第二应力；其中，第二应力衬层和/或第一应力衬层包括金属氧化物。依照本发明的高应力半导体器件及其制造方法，采用CMOS兼容工艺分别在PMOS和NMOS上选择性形成包含金属氧化物的应力层，有效提升了沟道区载流子迁移率，提高了器件性能。
公开日期	2013-10-23
申请日期	2012-03-27
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/16720]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	徐秋霞,殷华湘,马小龙,等. 半导体器件及其制造方法. CN201210083156.1. 2016-08-10.