X射线平板探测器及其制造方法

	X射线平板探测器及其制造方法
	殷华湘; 王玉光; 董立军; 陈大鹏
	2016-06-08
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201210050414.6
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	根据本发明的一方面，提供一种X射线平板探测器及其制造方法。X射线平板探测器包括按照矩阵排列的多个像素单元，每一个像素单元包括在绝缘衬底上集成在一起的一个传感器和一个像素读出电路，其中，所述像素读出电路包括位于至少一个薄膜晶体管，所述至少一个薄膜晶体管位于所述传感器的上电极下方，并且所述至少一个薄膜晶体管中的至少一个与所述传感器相连接。根据本发明的X射线平板探测器可以将传感器和复杂的像素读出电路集成在一起，以获得改善的图像质量和降低的制造成本。
公开日期	2013-09-11
申请日期	2012-02-29
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/16698]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	殷华湘,王玉光,董立军,等. X射线平板探测器及其制造方法. CN201210050414.6. 2016-06-08.