带有防阻塞功能的分子检测纳米孔器件及其制作方法

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	带有防阻塞功能的分子检测纳米孔器件及其制作方法
	董立军; 赵超
	2016-05-18
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201210258806.1
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	一种带有防阻塞功能的分子检测纳米孔器件及其制作方法，首先在硅衬底上形成测序用纳米孔阵，再在测序用纳米孔阵的上方形成氮化硅防阻塞孔阵。形成氮化硅防阻塞孔阵的方法包括以下步骤：在形成有测序用纳米孔阵的器件上方双面沉积牺牲层；刻蚀牺牲层形成下一步低应力氮化硅的附着区；在低应力氮化硅附着区上双面沉积LPCVD氮化硅层；刻蚀氮化硅层形成防阻塞孔；最后通过KOH或其他碱腐蚀去除体硅和牺牲层硅。本发明在测序用纳米孔阵的上方制作了防阻塞孔阵，因此在用于分子检测、基因测序时，可防止大于DNA直径的外来颗粒堵塞纳米孔阵，保证分子检测、基因测序的正常进行。由于本发明通过半导体集成方法制作，所以成本低、效果好。
公开日期	2014-02-12
申请日期	2012-07-24
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/16657]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	董立军,赵超. 带有防阻塞功能的分子检测纳米孔器件及其制作方法. CN201210258806.1. 2016-05-18.