半导体器件及其制造方法 | |
张严波; 杨红; 徐秋霞; 朱慧珑 | |
2012-11-30 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明 |
英文摘要 | 公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法包括:在半导体衬底上形成半导体鳍片;在半导体鳍片的顶部表面和侧壁上形成界面氧化物层;在界面氧化物层上形成高K栅介质;在高K栅介质上形成第一金属栅层;通过共形掺杂在第一金属栅层中注入掺杂剂;以及进行退火以使掺杂剂扩散并聚积在高K栅介质与第一金属栅层之间的上界面和高K栅介质与界面氧化物之间的下界面处,并且在高K栅介质与界面氧化物之间的下界面处通过界面反应产生电偶极子。 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16636] ![]() |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张严波,杨红,徐秋霞,等. 半导体器件及其制造方法. 2012-11-30. |
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