平坦化处理方法
朱慧珑; 罗军; 李春龙; 邓坚; 赵超
2016-08-02
著作权人中国科学院微电子研究所
专利号US9406549
国家美国
文献子类发明专利
英文摘要

A planarization process, the process including performing first sputtering on a material layer, with an area of the material layer which has a relatively low loading condition for sputtering shielded by a first shielding layer, removing the first shielding layer, and performing second sputtering on the material layer to planarize the material layer.

公开日期2014-06-05
申请日期2012-12-20
语种中文
内容类型专利
源URL[http://159.226.55.106/handle/172511/16615]  
专题微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
朱慧珑,罗军,李春龙,等. 平坦化处理方法. US9406549. 2016-08-02.
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