平坦化处理方法 | |
朱慧珑; 罗军; 李春龙; 邓坚; 赵超 | |
2016-08-02 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | US9406549 |
国家 | 美国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | A planarization process, the process including performing first sputtering on a material layer, with an area of the material layer which has a relatively low loading condition for sputtering shielded by a first shielding layer, removing the first shielding layer, and performing second sputtering on the material layer to planarize the material layer. |
公开日期 | 2014-06-05 |
申请日期 | 2012-12-20 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16615] |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱慧珑,罗军,李春龙,等. 平坦化处理方法. US9406549. 2016-08-02. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论