| 一种MOSFET结构及其制造方法 | |
| 尹海洲; 刘云飞 | |
| 2013-10-15 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种MOSFET制造方法，包括：a.提供衬底(100)、源漏区(200)、伪栅叠层(150)、层间介质层(300)和侧墙(160)；b.去除伪栅叠层(150)形成伪栅空位；c.对所述半导体结构进行倾斜的离子注入，形成载流子散射区(400)，所述载流子散射区(400)位于漏端一侧的半导体结构表面下方；d.在所述伪栅空位中淀积栅极叠层(500)。根据本发明提供的一种减小热载流子跃迁几率的方法，在靠近漏端一侧的沟道材料中注入散射杂质，即非电离杂质，增大热载流子在夹断区被散射的概率，使得载流子在夹断区运动时受到的阻力增大，降低热载流子的能量，从而减小热载流子进入栅极介质层的数目和几率。 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16612]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尹海洲,刘云飞. 一种MOSFET结构及其制造方法. 2013-10-15. |
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